• IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量測試儀

IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量測試儀

產品報價 ¥188.00
  • 產品品牌:西安易恩電氣
  • 所屬類別:實驗室儀器設備
  • 產品單位:
  • 產品型號:EN-hasn
  • 產品數量:100
  • 發布時間:2019.11.22
企業名稱:西安易恩電氣科技有限公司   誠信企業 聯系人:李想 手機:15249202572
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產品詳情
【IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量測試儀】

規格/環境要求

電壓頻率:50Hz±1Hz

環境溫度:15~40℃

工作濕度:溫度不高于+30℃時,相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%,無冷凝。

大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超過3000米。

???寸:800x800x1800mm

???量:210KG

工作電壓:AC220V±10%無嚴重諧波

系統功耗:320W

通信接口:USB RS232

技術指標

配置

測試范圍

測試參數

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場效應管

EAR/重復脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

?

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

?

?

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器)

?

?

?

感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

?

?

?

重復間隙時間

1-60s可調(步進1s)重復次數:1-50次

信息來源:IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量測試儀

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